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MRF374

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, NI-650, CASE 375F-03, 5 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小595KB,共12页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF374概述

RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, NI-650, CASE 375F-03, 5 PIN

MRF374规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏极电流 (ID)7 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量2
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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