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ZXMP4A57E6TA

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 40V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小487KB,共8页
制造商Diodes Incorporated
标准  
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ZXMP4A57E6TA概述

Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 40V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

ZXMP4A57E6TA规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
Objectid1009132415
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time17 weeks
compound_id5353894
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.7 A
最大漏极电流 (ID)2.9 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)18 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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