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WSF512K32-27H2M

产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 512KX32, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, PGA TYPE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
产品类别存储    存储   
文件大小317KB,共14页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
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WSF512K32-27H2M概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 512KX32, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, PGA TYPE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

WSF512K32-27H2M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称White Electronic Designs Corporation
Objectid1904875355
包装说明1.385 X 1.385 INCH, PGA TYPE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
Reach Compliance Codeunknown
compound_id294336635
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码S-CPGA-P66
JESD-609代码e4
长度35.2 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度32
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量66
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX32
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA66,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.7 mm
最大待机电流0.09 A
最大压摆率0.55 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度35.2 mm
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