Memory Circuit, Flash+SRAM, 512KX32, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, PGA TYPE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | White Electronic Designs Corporation |
Objectid | 1904875355 |
包装说明 | 1.385 X 1.385 INCH, PGA TYPE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
Reach Compliance Code | unknown |
compound_id | 294336635 |
最长访问时间 | 70 ns |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P66 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 35.2 mm |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 32 |
混合内存类型 | FLASH+SRAM |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 512KX32 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA66,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.7 mm |
最大待机电流 | 0.09 A |
最大压摆率 | 0.55 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 35.2 mm |
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