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BAS21S: 产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小106KB，共8页; 制造商FORMOSA; 官网地址http://www.formosams.com/

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BAS21S概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

BAS21S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	FORMOSA
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	0.225 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.225 W
最大重复峰值反向电压	250 V
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL

BAS21S相似产品对比

	BAS21S	BAS21C	BAS21-H
描述	Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-3
厂商名称	FORMOSA	FORMOSA	FORMOSA
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC PACKAGE-3	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	2	2	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	0.225 A	0.225 A	0.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.225 W	0.225 W	0.225 W
最大重复峰值反向电压	250 V	250 V	250 V
最大反向恢复时间	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL

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