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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> AUIRFR1010ZTRL
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AUIRFR1010ZTRL

产品描述42 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小253KB，共13页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准
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AUIRFR1010ZTRL在线购买

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AUIRFR1010ZTRL概述

42 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

42 A, 55 V, 0.0075 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

AUIRFR1010ZTRL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）110 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)91 A
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.0075 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)360 A
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

AUIRFR1010ZTRL相似产品对比

AUIRFR1010ZTRL AUIRFR1010Z AUIRFR1010ZTR AUIRFR1010ZTRR
描述 42 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 42 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 42 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 42 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 110 mJ 110 mJ 110 mJ 110 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 91 A 91 A 91 A 91 A
最大漏极电流 (ID) 42 A 42 A 42 A 42 A
最大漏源导通电阻 0.0075 Ω 0.0075 Ω 0.0075 Ω 0.0075 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 140 W 140 W 140 W 140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 360 A 360 A 360 A 360 A
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

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