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UT8R512K8-10UPX

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36
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文件大小97KB,共14页
制造商Cobham PLC
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UT8R512K8-10UPX概述

Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36

UT8R512K8-10UPX规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明DFP,
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码R-CDFP-F36
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度12.192 mm

UT8R512K8-10UPX相似产品对比

UT8R512K8-10UPX
描述 Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, FP-36
厂商名称 Cobham PLC
包装说明 DFP,
Reach Compliance Code unknown
最长访问时间 10 ns
JESD-30 代码 R-CDFP-F36
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 36
字数 524288 words
字数代码 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 512KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 3.048 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子形式 FLAT
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
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