MIC5020AJ概述

Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, BIMOS, CDIP8, CERDIP-8

MIC5020AJ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	NO
输入特性	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
长度	9.652 mm
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	TOTEM-POLE
输出极性	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大压摆率	25 mA
最大供电电压	50 V
最小供电电压	11 V
标称供电电压	12 V
表面贴装	NO
技术	BIMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
断开时间	1.5 µs
接通时间	0.8 µs
宽度	7.62 mm

	MIC5020AJ
描述	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, BIMOS, CDIP8, CERDIP-8
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	NO
输入特性	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
长度	9.652 mm
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	TOTEM-POLE
输出极性	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大压摆率	25 mA
最大供电电压	50 V
最小供电电压	11 V
标称供电电压	12 V
表面贴装	NO
技术	BIMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
断开时间	1.5 µs
接通时间	0.8 µs
宽度	7.62 mm

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