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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF044EAPBF
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IRF044EAPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小970KB，共7页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRF044EAPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

IRF044EAPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）340 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)44 A
最大漏源导通电阻0.032 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)176 A
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）160 ns
最大开启时间（吨）153 ns

IRF044EAPBF相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 60V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 340 mJ 340 mJ 340 mJ 340 mJ 340 mJ 340 mJ 340 mJ 340 mJ 340 mJ 340 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A
最大漏源导通电阻 0.032 Ω 0.032 Ω 0.032 Ω 0.032 Ω 0.032 Ω 0.032 Ω 0.032 Ω 0.032 Ω 0.032 Ω 0.032 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 176 A 176 A 176 A 176 A 176 A 176 A 176 A 176 A 176 A 176 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 CECC CECC CECC CECC CECC CECC CECC CECC CECC CECC
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 NOT SPECIFIED 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 160 ns 160 ns 160 ns 160 ns 160 ns 160 ns 160 ns 160 ns 160 ns 160 ns
最大开启时间（吨） 153 ns 153 ns 153 ns 153 ns 153 ns 153 ns 153 ns 153 ns 153 ns 153 ns

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