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IDT7201LA25LG8

产品描述FIFO, 512X9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32
产品类别存储    存储   
文件大小119KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT7201LA25LG8概述

FIFO, 512X9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32

IDT7201LA25LG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Objectid1124625318
包装说明QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
compound_id13112974
最长访问时间25 ns
最大时钟频率 (fCLK)28.5 MHz
周期时间35 ns
JESD-30 代码R-XQCC-N32
JESD-609代码e3
内存密度4608 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
功能数量1
端子数量32
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X9
可输出NO
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
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