EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | White Electronic Designs Corporation |
Objectid | 1546388262 |
包装说明 | DIP, |
Reach Compliance Code | unknown |
compound_id | 294364654 |
最长访问时间 | 200 ns |
其他特性 | WRITE ENDURANCE 10000 CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION |
数据保留时间-最小值 | 10 |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 42.4 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm |
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