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WME128K8-200CMEA

产品描述EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
产品类别存储    存储   
文件大小253KB,共11页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
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WME128K8-200CMEA概述

EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

WME128K8-200CMEA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称White Electronic Designs Corporation
Objectid1546388262
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
compound_id294364654
最长访问时间200 ns
其他特性WRITE ENDURANCE 10000 CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION
数据保留时间-最小值10
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e0
长度42.4 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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