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BGD906MI: 产品描述RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-115J, 7 PIN; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小309KB，共11页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BGD906MI概述

RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-115J, 7 PIN

	BGD906MI	BGD906,112
描述	RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-115J, 7 PIN	IC AMPLIFIER POWER SOT-115J
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	SOT-115J	SOT-115J
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
特性阻抗	75 Ω	75 Ω
构造	MODULE	MODULE
增益	22 dB	22 dB
JESD-609代码	e4	e4
最大工作频率	900 MHz	900 MHz
最小工作频率	40 MHz	40 MHz
最高工作温度	100 °C	100 °C
最低工作温度	-20 °C	-20 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SOT-115J	SOT-115J
电源	24 V	24 V
射频/微波设备类型	WIDE BAND HIGH POWER	WIDE BAND HIGH POWER
最大压摆率	435 mA	435 mA
技术	HYBRID	HYBRID
端子面层	GOLD	Gold (Au)

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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