Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | PLASTIC PACKAGE-4 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.5 V |
JESD-30 代码 | S-PUFM-W4 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 65 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 135 °C |
最低工作温度 | -50 °C |
最大输出电流 | 5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V |
最大反向恢复时间 | 0.2 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
VH848X | 8D0E21Z02BD674 | VH648X | |
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描述 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 5A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 | Robust Multiways Singlemode Connection | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 5A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-4 |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi | - | Microsemi |
包装说明 | PLASTIC PACKAGE-4 | - | S-PUFM-W4 |
Reach Compliance Code | unknown | - | compliant |
外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | - | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | - | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.5 V | - | 1.4 V |
JESD-30 代码 | S-PUFM-W4 | - | S-PUFM-W4 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 65 A | - | 65 A |
元件数量 | 4 | - | 4 |
相数 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 4 | - | 4 |
最高工作温度 | 135 °C | - | 135 °C |
最低工作温度 | -50 °C | - | -50 °C |
最大输出电流 | 5 A | - | 5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE | - | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V | - | 600 V |
最大反向恢复时间 | 0.2 µs | - | 0.2 µs |
表面贴装 | NO | - | NO |
端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE | - | WIRE |
端子位置 | UPPER | - | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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