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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> PDM41256LA20SO
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PDM41256LA20SO

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28
产品类别存储    存储   
文件大小352KB，共8页
制造商IXYS
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

PDM41256LA20SO概述

Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28

PDM41256LA20SO规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IXYS
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

PDM41256LA20SO相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28 Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28 Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28 Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS IXYS
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 20 ns 10 ns 20 ns 10 ns 12 ns 20 ns 25 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
端子数量 28 28 28 28 28 28 28
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C - -
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ DIP TSSOP DIP DIP TSSOP TSSOP
封装等效代码 SOJ28,.34 DIP28,.3 TSSOP28,.53,22 DIP28,.3 DIP28,.3 TSSOP28,.53,22 TSSOP28,.53,22
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0005 A 0.02 A 0.02 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最小待机电流 2 V 4.5 V 4.5 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.14 mA 0.2 mA 0.17 mA 0.18 mA 0.17 mA 0.14 mA 0.13 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 0.55 mm 2.54 mm 2.54 mm 0.55 mm 0.55 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL

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