Multi-Port SRAM, 1KX8, 120ns, NMOS, PDIP48,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | VLSI |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 120 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T48 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 8192 bit |
内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 48 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP48,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大压摆率 | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
VT2130-12PC | VT2130-15PC | VT2131-15PC | VT2130-20PC | VT2131-20PC | VT2131-12PC | |
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描述 | Multi-Port SRAM, 1KX8, 120ns, NMOS, PDIP48, | Multi-Port SRAM, 1KX8, 150ns, NMOS, PDIP48, | Multi-Port SRAM, 1KX8, 150ns, NMOS, PDIP48, | Multi-Port SRAM, 1KX8, 200ns, NMOS, PDIP48, | Multi-Port SRAM, 1KX8, 200ns, NMOS, PDIP48, | Multi-Port SRAM, 1KX8, 120ns, NMOS, PDIP48, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | VLSI | VLSI | VLSI | VLSI | VLSI | VLSI |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknow | unknow |
最长访问时间 | 120 ns | 150 ns | 150 ns | 200 ns | 200 ns | 120 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T48 | R-PDIP-T48 | R-PDIP-T48 | R-PDIP-T48 | R-PDIP-T48 | R-PDIP-T48 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 8192 bit | 8192 bit | 8192 bit | 8192 bit | 8192 bi | 8192 bi |
内存集成电路类型 | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 48 | 48 | 48 | 48 | 48 | 48 |
字数 | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words |
字数代码 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 1KX8 | 1KX8 | 1KX8 | 1KX8 | 1KX8 | 1KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
可输出 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP48,.6 | DIP48,.6 | DIP48,.6 | DIP48,.6 | DIP48,.6 | DIP48,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大压摆率 | 0.17 mA | 0.17 mA | 0.17 mA | 0.17 mA | 0.17 mA | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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