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HYB3165805TL-60

产品描述EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, TSOP2-34
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文件大小621KB,共32页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB3165805TL-60概述

EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, TSOP2-34

HYB3165805TL-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数34
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G34
长度22.25 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量34
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度12.7 mm

HYB3165805TL-60相似产品对比

HYB3165805TL-60 HYB3165805J-60 HYB3165805J-50 HYB3165805TL-50 HYB3165805T-50 HYB3165805T-60
描述 EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, TSOP2-34 EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, TSOP2-34 EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, TSOP2-34 EDO DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, TSOP2-34
零件包装代码 TSOP2 SOJ SOJ TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, SOJ, SOJ, TSOP2, TSOP2, TSOP2,
针数 34 34 34 34 34 34
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G34 R-PDSO-J34 R-PDSO-J34 R-PDSO-G34 R-PDSO-G34 R-PDSO-G34
长度 22.25 mm 22.25 mm 22.25 mm 22.25 mm 22.25 mm 22.25 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 34 34 34 34 34 34
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8 8MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 SOJ SOJ TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 3.76 mm 3.76 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING J BEND J BEND GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 12.7 mm 12.7 mm 12.7 mm 12.7 mm 12.7 mm 12.7 mm
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
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