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HYB25D256160BTL-6

产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66
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文件大小3MB,共83页
制造商QIMONDA
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HYB25D256160BTL-6概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66

HYB25D256160BTL-6规格参数

参数名称属性值
厂商名称QIMONDA
Objectid106212728
包装说明TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Codeunknown
compound_id181506021
最长访问时间0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
端子数量66
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.009 A
最大压摆率0.285 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL

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Data Sheet, Rev. 1.21, Jul. 2004
HYB25D256400B[T/C](L)
HYB25D256800B[T/C](L)
HYB25D256160B[T/C](L)
256 Mbit Double Data Rate SDRAM
DDR SDRAM
Memory Products
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