S75WS256NDFBAWMK,S75WS256NDFBAWMK pdf中文资料,S75WS256NDFBAWMK引脚图,S75WS256NDFBAWMK电路-Datasheet-电子工程世界

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S75WS256NDFBAWMK: 产品描述Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA84, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共191页; 制造商SPANSION; 官网地址http://www.spansion.com/

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S75WS256NDFBAWMK概述

Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA84, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84

S75WS256NDFBAWMK规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SPANSION
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	84
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	PSRAM ORGANISED AS 8M X 16; CODE FLASH ORGANISED AS 16M X 16-BIT; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e0
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	84
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

S75WS256NDFBAWMK相似产品对比

	S75WS256NDFBAWMK	S75WS256NDFBAWPK	S75WS256NDFBFWPK	S75WS256NDFBFWMK
描述	Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA84, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84	Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA84, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-84	Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA84, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84	Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA84, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-84
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,
针数	84	84	84	84
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
其他特性	PSRAM ORGANISED AS 8M X 16; CODE FLASH ORGANISED AS 16M X 16-BIT; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION	PSRAM ORGANISED AS 8M X 16; CODE FLASH ORGANISED AS 16M X 16-BIT; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION	PSRAM ORGANISED AS 8M X 16; CODE FLASH ORGANISED AS 16M X 16-BIT; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION	PSRAM ORGANISED AS 8M X 16; CODE FLASH ORGANISED AS 16M X 16-BIT; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e0	e0	e1	e1
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bi
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端子数量	84	84	84	84
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	40
厂商名称	SPANSION	-	SPANSION	SPANSION

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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