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RJP1CS08DWA-80W0

产品描述1250V - 200A - IGBT Application: Inverter
文件大小70KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJP1CS08DWA-80W0概述

1250V - 200A - IGBT Application: Inverter

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Preliminary
Datasheet
RJP1CS08DWT/RJP1CS08DWA
1250V - 200A - IGBT
Application: Inverter
Features
Low collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
= 1.8 V typ. (at I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V, Ta = 25C)
High speed switching
Short circuit withstands time (10
s
min.)
R07DS0831EJ0100
Rev.1.00
Jan 23, 2013
Outline
Die: RJP1CS08DWT-80
2
C
Wafer: RJP1CS08DWA-80
3
2
3
1G
1
3
E
3
1. Gate
2. Collector (The back)
3. Emitter
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to emitter voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Junction temperature
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
C
Tj
Ratings
1250
±30
400
200
150
Unit
V
V
A
A
C
R07DS0831EJ0100 Rev.1.00
Jan 23, 2013
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RJP1CS08DWA-80W0相似产品对比

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描述 1250V - 200A - IGBT Application: Inverter 1250V - 200A - IGBT Application: Inverter 1250V - 200A - IGBT Application: Inverter 1250V - 200A - IGBT Application: Inverter
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