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WS1M8V-70CM

产品描述Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小139KB,共5页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
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WS1M8V-70CM概述

Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

WS1M8V-70CM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称White Electronic Designs Corporation
Objectid1546166984
包装说明0.600 INCH, SINGLE CAVITY, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Codeunknown
compound_id294326872
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e4
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.13 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

 
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