TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 300 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.3 A |
最大漏源导通电阻 | 8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 15 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 1.4 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 30 ns |
最大开启时间(吨) | 10 ns |
BSP130-TAPE-7 | BSP130-TAPE-13 | |
---|---|---|
描述 | TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 300 V | 300 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.3 A | 0.3 A |
最大漏源导通电阻 | 8 Ω | 8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 15 pF | 15 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 1.4 A | 1.4 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 30 ns | 30 ns |
最大开启时间(吨) | 10 ns | 10 ns |
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