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BSP130-TAPE-7

产品描述TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小138KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BSP130-TAPE-7概述

TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

BSP130-TAPE-7规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压300 V
最大漏极电流 (ID)0.3 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)15 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)1.4 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)30 ns
最大开启时间(吨)10 ns

BSP130-TAPE-7相似产品对比

BSP130-TAPE-7 BSP130-TAPE-13
描述 TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 300 V 300 V
最大漏极电流 (ID) 0.3 A 0.3 A
最大漏源导通电阻 8 Ω 8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 15 pF 15 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1.4 A 1.4 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 30 ns 30 ns
最大开启时间(吨) 10 ns 10 ns

 
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