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VP1008B

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.88A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小136KB,共2页
制造商Supertex
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VP1008B概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.88A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

VP1008B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Supertex
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)0.88 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)25 pF
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值6.25 W
最大功率耗散 (Abs)6.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

VP1008B相似产品对比

VP1008B VP1008L VP0808B
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.88A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.88A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Supertex Supertex Supertex
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 80 V
最大漏极电流 (ID) 0.88 A 0.28 A 0.88 A
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 25 pF 25 pF 25 pF
JEDEC-95代码 TO-39 TO-92 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-PBCY-T3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL PLASTIC/EPOXY METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 6.3 W 1 W 6.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE THROUGH-HOLE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
外壳连接 DRAIN - DRAIN
功耗环境最大值 6.25 W - 6.25 W
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