Small Signal Field-Effect Transistor, 0.88A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Supertex |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.88 A |
| 最大漏源导通电阻 | 5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 25 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 6.25 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 6.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VP1008B | VP1008L | VP0808B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.88A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.88A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Supertex | Supertex | Supertex |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.88 A | 0.28 A | 0.88 A |
| 最大漏源导通电阻 | 5 Ω | 5 Ω | 5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 25 pF | 25 pF | 25 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-92 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-PBCY-T3 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL | PLASTIC/EPOXY | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 6.3 W | 1 W | 6.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | THROUGH-HOLE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 外壳连接 | DRAIN | - | DRAIN |
| 功耗环境最大值 | 6.25 W | - | 6.25 W |
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