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HY51V17804BSLJ-60

产品描述EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
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文件大小384KB,共8页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V17804BSLJ-60概述

EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

HY51V17804BSLJ-60规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
Objectid1439199352
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
compound_id9703239
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度18.42 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.76 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
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