电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RJK5036DP3-A0J2

产品描述500V - 2.4A - MOS FET High Speed Power Switching
文件大小68KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 选型对比 全文预览

RJK5036DP3-A0J2概述

500V - 2.4A - MOS FET High Speed Power Switching

文档预览

下载PDF文档
Preliminary Datasheet
RJK5036DP3-A0
500V - 2.4A - MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
R
DS(on)
= 3.83
typ. (at I
D
= 1.2 A, V
GS
= 10 V, Ta = 25C)
Low drive current
High density mounting
R07DS0840EJ0100
Rev.1.00
Jul 05, 2011
Outline
RENESAS Package code: PRSP0004ZB-A
Package name: SOT-223
D
4
3
2
1
S
G
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
DSS
V
GSS
Note1
I
D
I
D (pulse)
Note1
I
DR
Note2
I
DR (pulse)
Tch
Tstg
Note2
Ratings
500
±30
2.4
4.8
2.4
4.8
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
C
C
Notes: 1. Limited Tch max.. Value at Tc = 25C
2. Pulse width limited by safe operating area.
R07DS0840EJ0100 Rev.1.00
Jul 05, 2011
Page 1 of 3

RJK5036DP3-A0J2相似产品对比

RJK5036DP3-A0J2 RJK5036DP3-A0
描述 500V - 2.4A - MOS FET High Speed Power Switching 500V - 2.4A - MOS FET High Speed Power Switching

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1069  916  2706  2461  312  38  45  32  16  28 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved