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HMT451U6AFR8C-H9

产品描述DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb A-Die
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共60页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMT451U6AFR8C-H9概述

DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb A-Die

HMT451U6AFR8C-H9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N240
长度133.35 mm
内存密度34359738368 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度30.13 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.088 A
最大压摆率1.6 mA
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.51 mm
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