HMT41GU7MFR8C-PB,HMT41GU7MFR8C-PB pdf中文资料,HMT41GU7MFR8C-PB引脚图,HMT41GU7MFR8C-PB电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HMT41GU7MFR8C-PB

HMT41GU7MFR8C-PB: 产品描述DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die; 产品类别存储存储; 文件大小936KB，共55页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HMT41GU7MFR8C-PB概述

DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die

HMT41GU7MFR8C-PB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.225 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
长度	133.35 mm
内存密度	77309411328 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	1073741824 words
字数代码	1000000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	1GX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.36 A
最大压摆率	1.935 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL

HMT41GU7MFR8C-PB相似产品对比

	HMT41GU7MFR8C-PB	HMT41GU6MFR8C-G7	HMT41GU6MFR8C-PB	HMT41GU6MFR8C-RD	HMT41GU7MFR8C-G7	HMT41GU7MFR8C-H9	HMT451U6MFR8C	HMT451U6MFR8C-G7	HMT451U6MFR8C-H9	HMT451U6MFR8C-PB
描述	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die	DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 4Gb M-Die
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	-	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40
针数	240	240	240	240	240	240	-	240	240	240
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	-	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	-	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.225 ns	0.3 ns	0.225 ns	0.195 ns	0.3 ns	0.255 ns	-	0.3 ns	0.255 ns	0.225 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz	533 MHz	800 MHz	933 MHz	533 MHz	667 MHz	-	533 MHz	667 MHz	800 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	-	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
长度	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	-	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm
内存密度	77309411328 bi	68719476736 bi	68719476736 bi	68719476736 bi	77309411328 bi	77309411328 bi	-	34359738368 bit	34359738368 bit	34359738368 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	64	64	64	72	72	-	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1	-	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	-	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240	240	-	240	240	240
字数	1073741824 words	1073741824 words	1073741824 words	1073741824 words	1073741824 words	1073741824 words	-	536870912 words	536870912 words	536870912 words
字数代码	1000000000	1000000000	1000000000	1000000000	1000000000	1000000000	-	512000000	512000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C
组织	1GX72	1GX64	1GX64	1GX64	1GX72	1GX72	-	512MX64	512MX64	512MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	-	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	-	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES
最大待机电流	0.36 A	-	-	-	0.36 A	0.36 A	-	0.16 A	0.16 A	0.16 A
最大压摆率	1.935 mA	1.48 mA	1.72 mA	1.84 mA	1.665 mA	1.845 mA	-	1.28 mA	1.4 mA	1.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	-	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	-	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	-	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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