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BC849G

产品描述30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小174KB,共4页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

BC849G概述

30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

BC849G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
Objectid1404792005
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
compound_id178175984
其他特性LOW NOISE
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
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