HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CQCC20, 0.300 INCH, CREAMIC, QCC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 系列 | HCT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.006 A |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 53 ns |
| 传播延迟（tpd） | 79 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm |
| SN54HCT563FK | SN74HCT563N | SN54HCT563J | |
|---|---|---|---|
| 描述 | HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CQCC20, 0.300 INCH, CREAMIC, QCC-20 | HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 | HCT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QLCC | DIP | DIP |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP20,.3 | DIP, DIP20,.3 |
| 针数 | 20 | 20 | 20 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 系列 | HCT | HCT | HCT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T20 | R-GDIP-T20 |
| 长度 | 8.89 mm | 24.325 mm | 24.195 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.006 A | 0.006 A | 0.006 A |
| 位数 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED | INVERTED | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP20,.3 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 53 ns | 44 ns | 53 ns |
| 传播延迟（tpd） | 79 ns | 65 ns | 79 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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