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MTZJ6.8A

产品描述Zener Diode, 8.51V V(Z), 2.5%, 0.5W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小148KB,共2页
制造商Rugao Dachang Electronics Co Ltd
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MTZJ6.8A概述

Zener Diode, 8.51V V(Z), 2.5%, 0.5W

MTZJ6.8A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rugao Dachang Electronics Co Ltd
Objectid104976950
Reach Compliance Codeunknown
compound_id181789763
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗20 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压6.8 V
表面贴装NO
最大电压容差2.5%
工作测试电流5 mA

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SIYU
R
DO-35 Glass
max. 0.52
MTZJ_A Series
特征 Features
·反向漏电流小。
Low reverse leakage
·½纳击穿阻抗½。
Low zener impedance
min.
27.5
·最大功率耗散500mW。
Maximum power dissipation of 500 mW
·高稳定性和可靠性。
High stability and high reliability
1.8 0.2
3.8 0.2
CATHODE
MARK
机械数据
Mechanical Data
封装: DO-35 玻璃封装
Case: DO-35 Glass Case
极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
安装½½: 任意
Mounting Position: Any
min.
27.5
Unit:mm
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
参数
Parameter
Power Dissipation
Operating junction temperature
Storage temperature range
Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
Pd
T
j
Ts
数值
Value
500
175
单½
Unit
mW
功率消耗
工½结温
存储温度
-50 --- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
稳压范围
Zener Voltage
反向特性
测试条件
Test condition
Reverese Current
动态电阻
Dynamic Resistance
型号
Type
V
Z
(V)
最小值
MIN.
最大值
MAX.
I
Z
(mA)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
R
(µA)
最大值
MAX.
120
100
120
100
20
10
5
5
5
5
测试条件
Test condition
rd(Ω)
最大值
MAX.
100
100
100
100
100
100
100
100
100
80
测试条件
Test condition
V
R
(V)
0.6
0.7
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
I
Z
(mA)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
MTZJ2.0A
MTZJ2.2A
MTZJ2.4A
MTZJ2.7A
MTZJ3.0A
MTZJ3.3A
MTZJ3.6A
MTZJ3.9A
MTZJ4.3A
MTZJ4.7A
1.880
2.120
2.330
2.690
2.850
3.160
3.455
3.74
4.04
4.44
2.100
2.300
2.520
2.910
3.070
3.380
3.695
4.01
4.29
4.68
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
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