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RJP1CS03DWT

产品描述1250V - 30A - IGBT Application: Inverter
文件大小70KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJP1CS03DWT概述

1250V - 30A - IGBT Application: Inverter

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Preliminary
Datasheet
RJP1CS03DWT/RJP1CS03DWA
1250V - 30A - IGBT
Application: Inverter
Features
Low collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
= 1.8 V typ. (at I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V, Ta = 25C)
High speed switching
Short circuit withstands time (10
s
min.)
R07DS0826EJ0100
Rev.1.00
Jan 23, 2013
Outline
Die: RJP1CS03DWT-80
2
C
3
1G
1
Wafer: RJP1CS03DWA-80
2
1. Gate
2. Collector (The back)
3. Emitter
E
3
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to emitter voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Junction temperature
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
C
Tj
Ratings
1250
±30
60
30
150
Unit
V
V
A
A
C
R07DS0826EJ0100 Rev.1.00
Jan 23, 2013
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