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IRFM214BTF_FP001

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小690KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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IRFM214BTF_FP001概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRFM214BTF_FP001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.64 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
表面贴装YES

 
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