Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> KM44S32030AT-GH0

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KM44S32030AT-GH0: 产品描述Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54; 产品类别存储存储; 文件大小118KB，共11页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM44S32030AT-GH0概述

Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

KM44S32030AT-GH0规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	54
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
长度	22.22 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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KM44S32030A

CMOS SDRAM

128Mbit SDRAM

8M x 4Bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Revision 0.0

May 1999

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.0 May. 1999

KM44S32030AT-GH0相似产品对比

	KM44S32030AT-GH0	KM44S32030AT-FA0	KM44S32030AT-GL0	KM44S32030AT-GA0	KM44S32030AT-FL0	KM44S32030AT-FH0	KM44S32030AT-F80	KM44S32030AT-G80
描述	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,
针数	54	54	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	5.4 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
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最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
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封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
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认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
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