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SMD2103

产品描述Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共1页
制造商Cobham PLC
标准
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SMD2103概述

Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt

SMD2103规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cobham PLC
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2.5
标称二极管电容10 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数400
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT

SMD2103相似产品对比

SMD2103 SMD2106
描述 Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt Variable Capacitance Diode, 18pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最小击穿电压 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
二极管电容容差 10% 10%
最小二极管电容比 2.5 2.5
标称二极管电容 10 pF 18 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 400 350
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
变容二极管分类 ABRUPT ABRUPT
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