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2SC3475O

产品描述TRANSISTOR 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小106KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3475O概述

TRANSISTOR 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SC3475O规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

2SC3475O相似产品对比

2SC3475O 2SC3475Y
描述 TRANSISTOR 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 120
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 20 MHz 20 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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