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CFD1275Q

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共3页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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CFD1275Q概述

Transistor

CFD1275Q规格参数

参数名称属性值
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)2000
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值2 W
最大功率耗散 (Abs)35 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2.5 V

CFD1275Q相似产品对比

CFD1275Q CFD1275AP CFD1275AQ CFD1275P
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
厂商名称 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V 80 V 60 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 2000 4000 2000 4000
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 2 W 2 W 2 W 2 W
最大功率耗散 (Abs) 35 W 35 W 35 W 35 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V

 
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