ET2147HN1,ET2147HN1 pdf中文资料,ET2147HN1引脚图,ET2147HN1电路-Datasheet-电子工程世界

ET2147HN1: 产品描述IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC; 产品类别存储存储; 文件大小356KB，共5页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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ET2147HN1概述

IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC

ET2147HN1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T18
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	18
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

ET2147HN1相似产品对比

	ET2147HN1	ET2147HN2	ET2147HN3	ET2147HJ1	ET2147HJ3
描述	IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC	IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC	IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,PLASTIC	IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC	IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	compli
最长访问时间	35 ns	45 ns	55 ns	35 ns	55 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T18	R-PDIP-T18	R-PDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	18	18
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	ST(意法半导体)	-	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	-	-

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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