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SA100-230-3E

产品描述350V, 30A, SILICON SURGE PROTECTOR, BUTTON CELL PACKAGE-2
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小99KB,共5页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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SA100-230-3E概述

350V, 30A, SILICON SURGE PROTECTOR, BUTTON CELL PACKAGE-2

SA100-230-3E规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明BUTTON CELL PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
最大转折电压350 V
配置SINGLE
最大维持电流260 mA
JESD-30 代码O-CEDB-N2
通态非重复峰值电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度80 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
认证状态Not Qualified
重复峰值反向电压200 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
触发设备类型SILICON SURGE PROTECTOR

SA100-230-3E相似产品对比

SA100-230-3E SA100-300-3E
描述 350V, 30A, SILICON SURGE PROTECTOR, BUTTON CELL PACKAGE-2 400V, 30A, SILICON SURGE PROTECTOR, BUTTON CELL PACKAGE-2
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 BUTTON CELL PACKAGE-2 BUTTON CELL PACKAGE-2
针数 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant
最大转折电压 350 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE
最大维持电流 260 mA 260 mA
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2
通态非重复峰值电流 30 A 30 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 80 °C 80 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON
认证状态 Not Qualified Not Qualified
重复峰值反向电压 200 V 265 V
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END
触发设备类型 SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR

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