MT5C1008CW-55/883C,MT5C1008CW-55/883C pdf中文资料,MT5C1008CW-55/883C引脚图,MT5C1008CW-55/883C电路-Datasheet-电子工程世界

MT5C1008CW-55/883C: 产品描述128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32; 产品类别存储; 文件大小173KB，共17页; 制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]

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MT5C1008CW-55/883C概述

128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP32

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	32
最大工作温度	125 Cel
最小工作温度	-55 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	4.5 V
额定供电电压	5 V
最大存取时间	45 ns
加工封装描述	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	IN-LINE
端子形式	THROUGH-HOLE
端子间距	2.54 mm
端子涂层	TIN LEAD
端子位置	DUAL
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
温度等级	MILITARY
内存宽度	8
组织	128K X 8
存储密度	1.05E6 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	131072 words
位数	128K
内存IC类型	STANDARD SRAM
串行并行	PARALLEL

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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