DDR DRAM, 32MX72, 0.8ns, CMOS, PBGA208, 16 X 25 MM, PLASTIC, BGA-208
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 2118988044 |
| 包装说明 | BGA, BGA208,11X19,40 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.8 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B208 |
| 内存密度 | 2415919104 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR1 DRAM |
| 内存宽度 | 72 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 208 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 32MX72 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA208,11X19,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 3.7 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.025 A |
| 最大压摆率 | 1.75 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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