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BZD27-C6V8T/R

产品描述DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小173KB,共9页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BZD27-C6V8T/R概述

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

BZD27-C6V8T/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散300 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式WRAP AROUND
端子位置END

BZD27-C6V8T/R相似产品对比

BZD27-C6V8T/R BZD27-C5V1T/R
描述 DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散 300 W 300 W
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1.7 W 1.7 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END
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