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RD28F3202C3T110

产品描述Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA72, 8 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-72
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文件大小601KB,共66页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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RD28F3202C3T110概述

Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA72, 8 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-72

RD28F3202C3T110规格参数

参数名称属性值
厂商名称Intel(英特尔)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA,
针数72
Reach Compliance Codeunknown
其他特性SRAM IS CONFIGURED AS 128 K X 16
JESD-30 代码R-PBGA-B72
长度12 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
功能数量1
端子数量72
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

RD28F3202C3T110相似产品对比

RD28F3202C3T110 RD28F3204C3B100 RD28F3204C3B110 RD28F3208C3T100 RD28F3208C3T110 RD28F3202C3B110 RD28F3208C3B110
描述 Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA72, 8 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-72 Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA72, 8 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-72 Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA68, 8 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-68 Memory IC Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA68, 8 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-68 Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA72, 8 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-72 Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA68, 8 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-68
包装说明 LFBGA, LFBGA, BGA68,8X12,32 LFBGA, BGA68,8X12,32 , LFBGA, BGA68,8X12,32 LFBGA, LFBGA, BGA68,8X12,32
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown compliant unknown compliant
厂商名称 Intel(英特尔) - - Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔)
零件包装代码 BGA BGA BGA - BGA BGA BGA
针数 72 72 68 - 68 72 68
其他特性 SRAM IS CONFIGURED AS 128 K X 16 SRAM IS CONFIGURED AS 256 K X 16 SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16 - SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16 SRAM IS CONFIGURED AS 128 K X 16 SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16
JESD-30 代码 R-PBGA-B72 R-PBGA-B72 R-PBGA-B68 - R-PBGA-B68 R-PBGA-B72 R-PBGA-B68
长度 12 mm 12 mm 14 mm - 14 mm 12 mm 14 mm
内存密度 33554432 bit 33554432 bi 33554432 bi - 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT - MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16 16 16 - 16 16 16
功能数量 1 1 1 - 1 1 1
端子数量 72 72 68 - 68 72 68
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words - 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 - 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -25 °C - -25 °C -40 °C -25 °C
组织 2MX16 2MX16 2MX16 - 2MX16 2MX16 2MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA - LFBGA LFBGA LFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm - 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V - 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES - YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL OTHER - OTHER INDUSTRIAL OTHER
端子形式 BALL BALL BALL - BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 8 mm 8 mm - 8 mm 8 mm 8 mm
最长访问时间 - 100 ns 110 ns - 110 ns - 110 ns
混合内存类型 - FLASH+SRAM FLASH+SRAM - FLASH+SRAM - FLASH+SRAM
封装等效代码 - BGA68,8X12,32 BGA68,8X12,32 - BGA68,8X12,32 - BGA68,8X12,32
电源 - 3 V 3 V - 3 V - 3 V
最大待机电流 - 0.000045 A 0.000045 A - 0.000006 A - 0.000006 A
最大压摆率 - 0.055 mA 0.055 mA - 0.055 mA - 0.055 mA
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -

 
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