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2SD669G-D-T9N-R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, HALOGEN FREE, TO-92NL, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小210KB,共5页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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2SD669G-D-T9N-R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, HALOGEN FREE, TO-92NL, 3 PIN

2SD669G-D-T9N-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz
Base Number Matches1
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