IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | SIMM |
包装说明 | , |
针数 | 72 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE |
最长访问时间 | 60 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XSMA-N72 |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 72 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | SINGLE |
THM3251F0BSG-60 | THM3251F0BS-70 | THM3251F0BS-60 | THM3251F0BSG-70 | |
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描述 | IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | IC 512K X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | SIMM | SIMM | SIMM | SIMM |
针数 | 72 | 72 | 72 | 72 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE | FAST PAGE | FAST PAGE | FAST PAGE |
最长访问时间 | 60 ns | 70 ns | 60 ns | 70 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XSMA-N72 | R-XSMA-N72 | R-XSMA-N72 | R-XSMA-N72 |
内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bit | 16777216 bi |
内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 72 | 72 | 72 | 72 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 | 512KX32 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
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