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SHDC2269

产品描述Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小289KB,共4页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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SHDC2269概述

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

SHDC2269规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SENSITRON
包装说明FLANGE MOUNT, R-CSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)13 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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astwyg FPGA/CPLD

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