GS8662DT06BD-450M,GS8662DT06BD-450M pdf中文资料,GS8662DT06BD-450M引脚图,GS8662DT06BD-450M电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GS8662DT06BD-450M

GS8662DT06BD-450M: 产品描述QDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小413KB，共32页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

GS8662DT06BD-450M在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	GS8662DT06BD-450M	-	-	点击查看	点击购买

GS8662DT06BD-450M概述

QDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8662DT06BD-450M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
包装说明	LBGA,
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
Factory Lead Time	12 weeks
最长访问时间	0.45 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	15 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	165
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	13 mm

GS8662DT06BD-450M相似产品对比

	GS8662DT06BD-450M	GS8662DT06BD-450MT	GS8662DT20BD-450MT	GS8662DT20BD-450M	GS8662DT38BD-450M	GS8662DT38BD-450MT	GS8662DT11BD-450M	GS8662DT11BD-450MT
描述	QDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
包装说明	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
长度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM	QDR SRAM
内存宽度	8	8	18	18	36	36	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	8388608 words	8388608 words	4194304 words	4194304 words	2097152 words	2097152 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	4000000	4000000	2000000	2000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	8MX8	8MX8	4MX18	4MX18	2MX36	2MX36	8MX9	8MX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm

推荐资源

为何调用PsTerminateSystemThread不能结束创建的线程？: 我在驱动程序的DriverEntry里创建一个线程，用来读取文件。但是在线程函数里读取文件完毕后用PsTerminateSystemThread结束线程，但是我发现线程并没有被关闭，仍然在不断地进入线程函数。请问该如何结束线程？部分代码如下：VOID CreateLoadPolicyThread(PCHAR pContext,BOOLEAN IsLoadAllPolicy){KdPrint((DR...; shxhzxll 嵌入式系统

汇编语言中的浮点数相加: 如何实现汇编中的6.2+3.1？各位大哥，帮帮忙，课程设计啊...; yishengbubian 嵌入式系统

####不这样做，还真学不到这些东西呢！: 学习STM32无非两个方面，1.软件例如是IARCM3软件编写程序2。硬件，STM32和CM3核而且软件中已经描述、表达了硬件！这就是【硬件软件化】！，设计CPU可以用软件来设计,设计模具可以用软件来设计，例如PROE,UG,SOLIDWORK....一直这样认为，STM32的入门标准是什么？起码就是可以举一反三。学好STM32,就可以轻松使用其他厂家的CM3MCU.而目学习STM32有个问题，也...; moseslin stm32/stm8

STM32BootMode几个问题: 1最高波特率是多少？手册上说：1.5.2MaximumbaudrateBHighisthehighestbaudrateforwhichthedeviationstilldoesnotexceedthelimit.AllbaudratesbetweenBLowandBHigharebelowthedeviationlimit.Thehighesttestedbaudrate(BHigh)is115...; ytada stm32/stm8

Programming with MicroPython：Embedded Programming with Microcontrollers and ...: Programming with MicroPython：Embedded Programming with Microcontrollers and Pythonhttps://download.eeworld.com.cn/detail/lcofjp/565577...; arui1999 下载中心专版

测量并抑制存储器件中的软误差: 软误差是半导体器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如，如果为音频、视频或静止成像系统设计一个预压缩捕获缓冲器或后置解压缩重放缓冲器，则一个偶然出现的缺陷位可能不会被察觉，而且对用户而言也许并不重要。然而，当存储元件在关键任务应用中负责控制系统的功能时，软误差的不良影响就会严重得多，...; feifei 测试/测量

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多