MT8JSF25664HY-1G6XX,MT8JSF25664HY-1G6XX pdf中文资料,MT8JSF25664HY-1G6XX引脚图,MT8JSF25664HY-1G6XX电路-Datasheet-电子工程世界

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MT8JSF25664HY-1G6XX: 产品描述DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204; 产品类别存储存储; 文件大小330KB，共15页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT8JSF25664HY-1G6XX概述

DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204

MT8JSF25664HY-1G6XX规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	SODIMM
包装说明	DIMM,
针数	204
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XZMA-N204
JESD-609代码	e4
内存密度	17179869184 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	204
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	30

MT8JSF25664HY-1G6XX相似产品对比

	MT8JSF25664HY-1G6XX	MT8JSF25664HY-1G4XX	MT8JSF12864HY-1G6XX	MT8JSF12864HY-1G4XX	MT8JSF25664HY-1G1XX
描述	DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204	DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204	DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204	DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204	DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	204	204	204	204	204
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4
内存密度	17179869184 bit	17179869184 bit	8589934592 bit	8589934592 bit	17179869184 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	204	204	204	204	204
字数	268435456 words	268435456 words	134217728 words	134217728 words	268435456 words
字数代码	256000000	256000000	128000000	128000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256MX64	256MX64	128MX64	128MX64	256MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30

MT8JSF25664HY-1G6XX

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