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BUK9618-30118

产品描述TRANSISTOR 55 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小241KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BUK9618-30118概述

TRANSISTOR 55 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

BUK9618-30118规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION
雪崩能效等级(Eas)80 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)55 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)220 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BUK9618-30118相似产品对比

BUK9618-30118 BUK9618-30,118
描述 TRANSISTOR 55 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power 55A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION
雪崩能效等级(Eas) 80 mJ 80 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 55 A 55 A
最大漏源导通电阻 0.018 Ω 0.018 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 220 A 220 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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