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BRC123EMPTL

产品描述PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,100MA I(C),SOT-23
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小106KB,共12页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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BRC123EMPTL概述

PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,100MA I(C),SOT-23

BRC123EMPTL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)20
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

BRC123EMPTL相似产品对比

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描述 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,100MA I(C),SOT-23 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,100MA I(C),SOT-23 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,100MA I(C),SOT-23 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,100MA I(C),SOT-23
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 20 30 30 20
元件数量 1 1 1 1
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

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