20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | DO-4 |
包装说明 | O-MUPM-D1 |
针数 | 1 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
应用 | EFFICIENCY |
外壳连接 | CATHODE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.25 V |
JEDEC-95代码 | DO-203AA |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 300 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 20 A |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V |
最大反向电流 | 50 µA |
最大反向恢复时间 | 0.05 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
UES704HR2 | UES705HR2 | |
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描述 | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
零件包装代码 | DO-4 | DO-4 |
包装说明 | O-MUPM-D1 | HERMETIC SEALED, DO-4, 1 PIN |
针数 | 1 | 1 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
应用 | EFFICIENCY | EFFICIENCY |
外壳连接 | CATHODE | CATHODE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.25 V | 1.25 V |
JEDEC-95代码 | DO-203AA | DO-203AA |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D1 | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 300 A | 300 A |
元件数量 | 1 | 1 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 1 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | 20 A | 20 A |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V | 300 V |
最大反向电流 | 50 µA | 50 µA |
最大反向恢复时间 | 0.05 µs | 0.05 µs |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | SOLDER LUG | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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