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NAND16GW3D2N6E

产品描述Flash, 1GX16, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TSOP-48
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共79页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND16GW3D2N6E概述

Flash, 1GX16, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TSOP-48

NAND16GW3D2N6E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度20 mm
内存密度17179869184 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1GX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
类型MLC NAND TYPE
宽度12 mm

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NAND16GW3D2B
16-Gbit, 4320-byte page, 3 V supply, multiplane
architecture, multilevel cell NAND flash memory
Features
High density multilevel cell (MLC) flash
memory
– 16 Gbits of memory array
– Cost-effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x8 bus width
– Multiplexed address/data
– Pin-out compatibility for all densities
Supply voltage
– V
DD
= V
DDQ
= 2.7 to 3.6 V
Page size: (4096 + 224 spare) bytes
Block size: (512K + 28K spare) bytes
Enhanced data throughput by multiplane
architecture
– Array split into two independent planes
– All operations performed on both planes
simultaneously
Page read/program
– Random access: 60 µs (max)
– Page program operation time: 800 µs (typ)
– Multiplane page program operation time:
800 µs (typ)
Page serial access (data in/out): 25 ns
Copy-back program
– Fast page copy with/without external
buffering
– Multiplane copy back program
Fast block erase
– Block erase time: 2.5 ms (typ)
– Multiplane block erase time: 2.5 ms (typ)
Throughput improvement with cache program,
multiplane cache program, cache read,
multiplane cache read
Cache read: automatic block download without
latency time
TSOP48 12 x 20 mm (N)
PSL (power on selection) for device
initialization
Status register
Electronic signature
Chip enable ‘don’t care’
Security features
– OTP area
– Serial number (unique ID) option
Data protection
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Data integrity
– 5,000 program/erase cycles (with 12-
bit/512-byte ECC)
– 5 years data retention
RoHS compliant package
September 2009
Rev 2
1/79
www.numonyx.com
1

NAND16GW3D2N6E相似产品对比

NAND16GW3D2N6E
描述 Flash, 1GX16, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TSOP-48
厂商名称 Numonyx ( Micron )
零件包装代码 TSOP
包装说明 TSSOP,
针数 48
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 3A991.B.1.A
JESD-30 代码 R-PDSO-G48
长度 20 mm
内存密度 17179869184 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 16
功能数量 1
端子数量 48
字数 1073741824 words
字数代码 1000000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 1GX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 PARALLEL
编程电压 3 V
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 0.5 mm
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