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2SB686R

产品描述TRANSISTOR 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SB686R概述

TRANSISTOR 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SB686R规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)55
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

2SB686R相似产品对比

2SB686R 2SB686O 2SB686
描述 TRANSISTOR 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 55 80 55
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz
Base Number Matches 1 1 1
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
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